“Φερροηλεκτρική” δεν είναι απλά μια αστεία λέξη, μπορεί επίσης να είναι το μέλλον των υπολογιστών.
Παρότι αυτή η πιθανότητα απέχει ακόμα, οι ερευνητές έχουν κάνει σημαντική πρόοδο πρόσφατα και μια ομάδα από το Πανεπιστήμιο Tokohu της Ιαπωνίας μόλις έθεσε ένα νέο ρεκόρ στην φερροηλεκτρική αποθήκευση δεδομένων.
Αυτό επιτεύχθηκε με τη βοήθεια ενός ερευνητικού μη γραμμικού διηλεκτρικού μικροσκοπίου, το οποίο επέτρεψε στους ερευνητές να επιτύχουν πυκνότητα δεδομένων της τάξης των 4 τρισεκατομμυρίων bit ανά τετραγωνική ίντσα.
Όπως ίσως θα περιμένατε, η ακριβής διαδικασία είναι κάπως περίπλοκη, καθώς περιλαμβάνει μια γεννήτρια παλμών που χρησιμοποιείται για να μεταβάλλει την ηλεκτρική κατάσταση μικροσκοπικών σημείων του φερροηλεκτρικού μέσου, αλλά οι ερευνητές λένε ότι αυτή η τεχνολογία είναι μια από τις επικρατέστερες υποψήφιες να αντικαταστήσουν τους μαγνητικούς σκληρούς δίσκους και τις μνήμες flash, ή “τουλάχιστον σε εφαρμογές που είναι απαιτούμενη η υψηλή πυκνότητα δεδομένων και ο μικρός φυσικός όγκος”.
